TWIN Implantmonitor

Das TWIN System von TePla erzeugt Oberflächenwellen durch Anregung mit Laserlicht mit anschließender Messung der Reflexionsänderung. Wenn sich bei der Implantation dieDosis oder Energieverschoben hat, macht sich das im geänderten Verhalten der Oberflächenwellen bemerkbar und kann über die Analyse der Reflexion ausgewertet werden.

 

Das TWIN System ermöglicht verschiedene Messrezepte, sowohl für Monitorscheiben als auch für Produktwafer und misst die Dosis im Bereich von 10E10 to 5E16 und Engergie zwischen 1keV und  100 MeV. Je nach Anwendung kann dabei eine Punktmatrix über den ganzen Wafer verteilt, ein Ausschnitt des Wafers hochauflösend, mit oder ohne Micro-scan zur Reduzierung der statistischen Varianz oder aber mit Frequenzvariation gemessen werden.

 

Alle Systeme sind mit einem vollautomatischen Handling System ausgestattet. Darüber hinaus kann das System für eine spezielle Wafergröße eingerichtet werden oder aber als bridging-tool zwei verschiedene Wafergrößen messen, eine Umrüstung ist hier nicht erforderlich. Zusätzlich können die Systeme mit Platformen für SMIF oder FOUP ausgestattet werden.

 

Die neueste Generation der TWIN Systeme arbeitet mit einer Temperatur-stabilisierten Messeinheit und einer Kompensationssoftware, um den Effekt der Ausheilung bei Raumtemperatur zu eliminieren.