GIGAfab M

Dieses Plasmasystem ermöglicht den Einstieg in Plasma Systeme für höhere Anforderungen und speziellen Plasmaquellen. Die Substrate werden von Hand in die Prozesskammer geladen, von einem einzelnen Wafer bis 300mm Größe (auch gedünnt mit Folie) bis zu geringen Mengen von kleineren Wafern. Für die Lackentfernung kann es mit einer planaren Quelle für Gleichmäßigkeiten bis 5% über einen 300mm ausgestattet werden. Alternativ gibt es  eine Radikalquelle im Remote-Betrieb für das  Ätzen von Silizium ür das Entfernen von Stress an gedünnten Wafern oder Bauelementen.

 

Das System ist mit einer Prozesskammer mit Auszugstisch ausgestattet. An de Innenseite ist die Waferaufnahme befestigt, die je nach Anwendung entweder geheizt oder aber auch gekühlt werden kann. Dabei verwenden wir entweder ein System mit Kühlkreislauf und Kühlaggregat für Temperaturen von 20 bis 95 °C (für Ätzen von Silizium und SU-8 Entfernen) oder aber ein elektrisch beheiztes System bis 300°C mit optionaler Luftkühlung für einen stabilen Prozessbereich zwischen  60°C und 300°C.

 

Die Steuerung basiert auf einem PC System mit QNX als Betriebssystem und Touch-Screen, um damit Prozesse sowohl im manuellen als auch im automatischen Multi-Step Betrieb ablaufen zu lassen.

 

 Das Standardsystem beinhaltet ein Regelventil für stabilen Prozessdruck sowie zwei Gaskanäle mit automatischen Durchflussreglern (MFC), zwei weitere Gaskanäle sind optional möglich.