Scherstress in Wafern

Scherstress durch Versetzungen oder Kristalldefekte bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen hat enorm an Wichtigkeit gewonnen, da diese wegen der fortschreitenden Miniaturisierung immer anfälliger für Defekte im Wafermaterial werden. Solche Defekte können den Ausfall von Bauelementen bedeuten oder im schlimmsten Fall zum Bruch einer Scheibe während eines Produktionsprozesses in der Fab führen.

 

Unsere Scherstressmessung beruht auf dem physikalischen Prinzip, daß polarisiertes Licht in der Polarisation verändert wird, wenn es durch einen Bereich fällt, der unter mechanischem Stress steht. Dabei wird beim SIRD (Scanning Infrared Depolarisation) ein infraroter Laser verwendet, da Silizium im infraroten Bereich sehr transparent ist.

 

Die Hauptanwendung für das SIRD und SIRIS ist die Überwachung von Epitaxie-Reaktoren mit besonderem Blick auf den Randbereich der Scheiben. Darüber hinaus lassen sich auch andere Prozesse mit hoher Temperatur oder mechanischem Abtrag bei der Herstellung von Siliziumscheiben für Halbleiterbauelemente, Solarzellen oder andere Materialien für opto-elektronische Bauelemente mit der SIRD-Technik optimieren und überwachen.

 

Die Inspektion mit der SIRD Technik besteht nicht nur aus der Messung und Darstellung von mechanischem Stress, sondern die speziellen Analyseprogramme erlauben die Auswertung nach verschiedenen statistischen oder anderen spezifischen Merkmalen für die Prozessüberwachung. Das mitgelieferte Sofware erlaubt Auswertung von globalem Stress oder lokalen Mikrostressfeldern sowohl auf der ganzen Scheibe als auch in definierten Bereichen auf der Scheibe. Die SIRD Technologie lässt sich sowohl bei blanken Scheiben als auch auf Produktwafern anwenden, solange eine minimale Transparenz des Materials vorhanden ist.

 

passende Anlagen...