Oberflächenkontamination

Die Fähigkeit, Oberflächenkontaminationen zu erfassen, gewinnt zuehmend an Bedeutung in heutigen Prodoktionslinien für Wafer und Halbleiterbauelemente. Eine der empfindlichsten Methoden, VPD (Vapor Phase Decomposition, präpariert den Wafer für die Analyse bis in einen Konzentrationsbereich von 107 at/cm².

Ätzen der Waferoberfläche

Analysevorbereitung durch Ätzen mit HF Dampf

Im ersten Schritt (PAD-Fume) wird eine chemische Reaktionskammer verwendet, die das Ätzen des Wafers mit gasförmiger HF erlaubt. Alle Oberflächen, die in Kontakt mit der HF stehen, sind optimiert für höchste Reinheit und eine sichere Handhabung der HF Gase.

Aufsammeln der Verunreinigung

Konzentration der Verunreinigung in einem Flüssigkeitstropfen

Der nächste Schritt besteht im Aufsammeln der Kontaminationen und die Konzentration in einem kleinen Tropfen mit dem PAD-Scan. Dieses Modul bietet verschiedene Scanpattern, fortgeschrittene Handhabung der Tropfen und die Aufbereitung für die nachfolgende Analyse.

Präparation für die Analyse

Trocknung des Tropfens für die TXRF-Analyse

Der letzte Schritt des VPD-Prozesses ist die Präparation für die Analyse.

 

ICP-MS Analyse

Der Tropfen wird mit der Pipette des PAD-Scans in ein Vial gefüllt und auf ein vorgegebenes Volumen verdünnt. Die Erhöhung des Volumens ist abhängig von der Anzahl der untersuchten Elemente. Die Vials oder der Vialträger werden für die Analyse zum Autosampler des ICP-MS transferiert.

 

TXRF Analyse

Der Tropfen wird zusammen mit Blindtropfen auf vorgegebenen Positionen des Wafers angeordnet. Der Wafer wird in das PAD-Dry Modul transferiert und unter Vakuum und moderater Temperatur getrocknet. Dies ergibt einen festen Rückstand, der für die Analyse mit TXRF geeignet ist.


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