Implantationskontrolle

Die Überwachung konventioneller Beam-Line Implanter direkt nach dem Implantationsprozess stellt eine wichtige Möglichkeit zur Qualitätsverbesserung und Kostenreduzierung dar, da eine Nacharbeit fehlerhaft implantierter Wafer sehr kostspielig und meist gar nicht mehr möglich ist.

 

Die TWIN-Technologie der PVA TePla AG nutzt die etablierte Anregung von Thermowellen mit der daraus resultierenden Änderung der Reflektivität. Eine Variation bei Dosis oder Energie der Implantation ändert somit das Reflektionsverhalten des jeweiligen implantierten Bereichs eines Wafers; diese wird vom TWIN detektiert und ausgewertet.

 

Das TWIN-System ermöglicht zum Beispiel die Bestimmung der Gleichmäßigkeit auf Produkt- oder Monitorscheiben im Bereich der Implantationsdosis von 10 E10 bis 5 E16 und der Energie zwischen 1keV und 100 MeV.

 

Verschiedene Mess- und Auswertemodi erlauben die Messung eines Wafers bis 300mm Durchmesser oder aber auf einem kleinen Bereich mit hoher Ortsauflösung, Micro-Scans mit Wiederholung der Messung innerhalb einiger Mikrometer oder die Aufnahme einer Frequenzkurve zur Bestimmung der optimalen Messfrequenz.

 

Weitere Optionen sind die temperaturstabilisierte Messung sowie die Berechnung und Extraktion der Ausheilung bei Raumtemperatur.

 

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