Spannungsreduzierung

Beim Rückdünnen von Wafern enstehen Prozessspuren und Schädigungen im Material was die Bruchfestigkeit der Wafer reduziert. Diese Schwächung des Wafers kann durch einen PVA TePla Plasmaprozess „verheilt“ werden. Dabei schützt die Schleiffolie die aktive Waferseite während des Schleifvorgangs (Rückdünnen von 725µm bis auf Zieldicken von z.B. 30µm). Der Wafer kann mit Schleif- oder Sägefolie in der Plasmakammer prozessiert werden. Um eine Schädigung der Schleiffolie zu verhindern wird die Temperatur des Chucks geregelt. Die Waferrückseite wird dem Plasma ausgesetzt um die etwa 3µm tiefe, durch das Schleifen oder Polieren
verursachte, Schädigungszone zu entfernen.

Oberflächen verheilen kann gemeinsam mit Passivierungs- und Waferdünn-Prozessen durchgeführt werden.