Fotolackentfernen

Fotolack läst sich sehr leicht mit einem Plasmaprozess entfernen, meistens mit Anregung durch Mikrowellen. Diese Konfiguration bietet die beste Kombination von Abtragsrate und minimaler Schädigung der Bauelemente im Plasma.

 

Das Prozessieren von einer größeren Anzahl von Wafern im Batch bietet natürlich die günstigste Variante im Bezug auf Kosten per Wafer und die Möglichkeit, den Lack von beiden Seiten gleichzeitig zu entfernen. Allerdings sind die Ergebnisse in der Homogenität des Abtrags durch die Geometrie der Waferbeladung begrenzt. Bei einem Prozess mit reinem Sauerstoff mit vollständiger Entfernung des Lacks spielt dieser Effekt jedoch kaum eine Rolle, da dieser Prozess automatisch auf der darunter liegenden anorganischen Schicht stoppt.

 

Die Abtragsrate beim Sauerstoffprozess wird umso höher, je höher die Temperatur der Scheiben steigt. Zur Begrenzung der Temperatur haben wir einen Prozess entwickelt, der mit gleichbleibender Temperatur abläuft. Der Vorteil ist eine möglichste hohe Abtragsrate, ohne die voreingestellte Scheibentemperatur zu übersteigen. Die Temperaturüberwachung erfolgt durch ein Infrarot Thermometer mit entsprechender Steuerung der Mikrowellenleistung.

passende Anlagen...

 

Bei größeren Scheiben wird meist ein Einzelscheibenprozess bevorzugt, da sich dieser besser automatisieren lässt und bessere Ergebnisse bezüglich Gleichmäßigkeit bietet.

 

Meistens wird der Prozess zum Lackentfernen mit reinem Sauerstoff gefahren, manchmal aber auch in Verbindung mit Sondergasen, um spezielle Anforderungen bei Abtrag, Abtragsrate und Scheibentemperatur zu erfüllen. Dies ist besonders wichtig beim Entfernen von Lack nach Hoch-Dosis Implantation. Bei Schichten, die stark zum Oxidieren neigen, kann alternativ auch Wasserstoff als Prozessgas verwendet werden.

passende Anlagen...